新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料是我国制作业改变开展方法与经济转型的驱动要素和重要确保。记者从中国科学院微电子研究所得悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器材，第三代半导体资料有望牵引我国航天电源升级换代。

  据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器材是完成电能改换和操控的中心，被誉为“电力电子体系的心脏”，是最为根底、使用最为广泛的器材之一。

  跟着硅基功率器材的功能迫临极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料，以其一起优势可满意空间电源体系高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技能开展具有极端严重战略意义。

  2024年11月15日，中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间使用工程与技能中心刘彦民团队一起研发的碳化硅（SiC）载荷体系，搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，敞开了空间站轨迹科学实验之旅。

  “本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗辐射的碳化硅（SiC）功率器材进行空间验证，并在航天电源中进行使用验证，一起做归纳辐射效应等科学研究，逐渐提高我国航天数字电源功率，支撑未来单电源模块到达千瓦级。”刘新宇说。

  经过一个多月的在轨加电实验，碳化硅（SiC）载荷测试数据正常，成功进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器材在轨实验与使用验证，在电源体系中静态、动态参数均契合预期。

  业界专家觉得，我国在太空成功验证第三代半导体资料制作的功率器材，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器材有望牵引空间电源体系的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空勘探等范畴供给新一代功率器材。