衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅度降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

  与硅材料相比，以碳化硅衬造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可大范围的应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  据QYResearch调研团队最新报告“全球碳化硅衬底市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球碳化硅衬底市场规模将达到44.4亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为21.6%。

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  图00003.全球碳化硅衬底市场前12强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

  如上图表/数据，摘自QYResearch报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”，排名基于2023数据。目前最新数据，以本公司最新调研数据为准。

  图00004.碳化硅衬底，全球市场规模，按产品类型细分，6 Inch处于主导地位

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  就产品类型而言，目前6 Inch是最主要的细分产品，占据大约75.9%的份额。

  图00005.碳化硅衬底，全球市场规模，按应用细分，功率器件是最大的下游市场，占有77.8%份额。

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  就产品应用而言，目前功率器件是最主要的需求来源，占据大约77.8%的份额。

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

  电动汽车市场的快速扩张是 SiC 衬底的重要驱动力，因为汽车制造商慢慢的变多地采用基于 SiC 的组件来提高电源效率、续航里程和充电速度。随着主要制造商转向 800V 架构，SiC 功率器件因其在高温和高压下比硅替代品具有更优异的性能而变得至关重要。SiC 在电动汽车动力系统和充电系统中的效率优势使其成为支持汽车行业向电气化持续转变的关键。

  全球对太阳能和风能等可再次生产的能源的推动增加了对高效电力转换和储能系统的需求，而 SiC 衬底在这样一些方面表现出色。SiC 的高能效、导热性和耐用性使其成为光伏逆变器、储能和智能电网的理想选择。随着各国投资可再次生产的能源基础设施以实现环境目标，SiC 衬底在最大限度地提高能源系统的效率和可靠性方面发挥着关键作用，推动了对电力电子的需求。

  SiC 衬底很适合高频和高压应用，这些应用在电信、工业自动化和航空航天等领域的需求日渐增长。SiC 能够在高开关频率下运行并处理更大的功率密度，从而能够制造出更小、更轻、更高效的设备。这一趋势支持在无线基础设施、高性能工业系统和军事应用中采用 SiC，随着各行各业寻求提高性能和降低能耗，逐步推动市场增长。

  生产 SiC 单晶基板所需的先进而复杂的技术构成了巨大的进入壁垒，限制了市场参与者的数量。这种复杂性确保只有拥有大量专业相关知识和资源的公司才能在 SiC 生产中取得成功，从而限制了竞争和市场多样性。

  随着材料科学的慢慢的提升，氮化镓 (GaN) 等替代方案正在成为 SiC 在多个应用领域的潜在竞争对手。GaN 的效率和成本优势可能会挑战 SiC 在某些电力电子和高频设备中的主导地位，从而在市场中形成竞争态势。

  SiC 单晶基板大多数都用在电力电子和光电子等高性能应用，从而形成高度集中和专业化的客户群。这种狭窄的市场焦点可能使需求更容易受到特定行业变化的影响，从而可能会影响 SiC 行业的稳定性。

  全球贸易焦灼的事态和不可预测的政策对 SiC 单晶基板市场构成风险。贸易冲突、保护主义措施和政策变化可能会扰乱供应链、增加成本并造成市场波动，从而挑战行业增长和稳定。

  8英寸衬底未来将成为主流产品：性价比是决定SiC器件量产使用的关键，衬备是碳化硅性价比提升的核心。碳化硅器件成本占比中：衬底、外延、器件占比分别为46%、23%、20%。衬底是碳化硅成本降低的核心，也是技术壁垒最高的部分，是未来SiC成本降低和大规模产业化的核心关键。

  SiC器件在电源中的使用量增加：电子是主要的应用领域，这一市场增长的主要驱动力来自于SiC器件在电源和逆变器应用上的使用量增加。

  目前特斯拉仅在主逆变器上采用了SiC功率器件，未来新能源汽车市场还有进一步应用提升的空间。

  技术趋势：碳化硅器件的工艺技术要求非常高。其中高稳定性晶体生长工艺技术是其核心，该技术原本仅被美国等少数发达国家掌握，全球仅有少数几家公司可以在一定程度上完成商业化量产，如今部分公司已实现大尺寸6英寸碳化硅晶圆及外延片的开发，目前研究重点是8英寸碳化硅晶圆及外延片的开发。

  目前，碳化硅晶圆生产的两项关键技术是晶体生长和晶圆切割抛光，这两项技术决定了碳化硅晶圆的合格率，目前全球碳化硅晶圆的最高合格率为70%-80%。返回搜狐，查看更加多