在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的重要的条件。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准，引领着电力电子领域的发展。

  与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，逐渐增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗，为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。

  值得一提的是，英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了及其重要的作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能，从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%，将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻（Rdson），进一步提升了能效和功率密度，并减少了零件数量。

  除了卓越的性能表现，CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性，以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力，使得系统模块设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战，同时减少冷却工作并简化系统设计。

  英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出，开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了脱碳，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的用户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外观尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器能更加进一步增加电动汽车的续航能力。在可再次生产的能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，以此来降低每瓦成本。

  英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”

  英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，逐渐增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业相关知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。

  关键字：引用地址：英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准

  人工智能（AI）引发全球数据中心能源需求一直增长 基于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的新型电源装置（PSU）巩固了英飞凌在AI电源领域的一马当先的优势 全球首款12 Kw PSU凭借更高的能效、功率密度和可靠性，为AI数据中心运营商带来优势 【2024年6月3日，德国慕尼黑讯】 人工智能（AI）的影响推动了全球数据中心能源需求的日渐增长，凸显了为服务器提供高效可靠能源供应的必要性 。英飞凌科技股份公司已翻开AI系统能源供应领域的新篇章，发布了电源装置（PSU）产品路线图。该路线图在第一先考虑能源效率前提下，专为满足AI数据中心当前和未来的能源需求而设计。 PSU产品界面图 通过实现更高的PSU性能等级

  为AI数据中心提供先进的高能效电源装置产品路线图 /

  安全成 无人驾驶 设计首要基础。因应此一趋势，半导体业者纷纷推出各种感测元件，以确保行驶安全性。与此同时，半导体厂商及车厂也持续强化处理器及联网系统的安全防护性能，以便打造内外都安全可靠的自驾车。   自动驾驶安全性越来越受重视，为提升自驾车整体安全性，半导体厂商致力发展各式感测元件，车厂与系统厂则致力于感测器融合之技术发展，以确保行车安全。另一方面，强化自驾车内元件效能，以打造更安全的自驾车，也是目前极力发展的方向之一。随着车上配备的感测器元件慢慢的变多，如何使汽车处理器针对车用感测器传来的资讯，即时做出正确的分析，并防止骇客入侵、窃取资料将是未来无人驾驶发展重点。  车联网时代到来保密防骇少不了    图

  英飞凌科技在2014全国城市通卡发展年会上，获得了住房和城乡建设部（简称住建部）IC卡应用服务中心授予的“金标奖标准贡献奖”。同时，为鼓励其作出的个人贡献，中心也授予英飞凌科技中国区智能卡与安全事业部的技术市场经理黄显明博士 “金标奖标准先进个人奖”。 金标奖于2013年由全国智能建筑及居住区数字化标准化技术委员会设立，旨在表彰在城市建设信息化领域的标准制修订和标准实施过程中作出突出贡献的组织机构、企业和事业单位及个人。         随着我国城市建设信息化的不断深入，统一的标准对于城市一卡通等领域的引领作用正不断的提高，同时，它也是实现城市之间交通“相互连通”的前提基础。作为全世界及中国交通卡项目的主要芯片供应商，英飞凌热情参加住建部开

  英飞凌持续强化汽车雷达设计。为降低交通事故伤亡率，美国运输部高速公路交通安全局(NHTSA)与高速公路安全保险协会(IIHS)宣布自动紧急煞车辅助系统(AEB)将陆续列为新车标准配备，此一政策将带动汽车雷达需求加速成长，为抢占此一商机，英飞凌致力提升汽车雷达性能，以巩固市占率。 英飞凌汽车系统工程部总监陈添宝指出，未来汽车雷达须具备更高解析度，透过2D/3D感测，以增进方位辨识的精确度和支援更高的高度；更容易与汽车整合，如具有更小的体积及更佳的散热。另外，为支援无人驾驶，汽车雷达还须增加抗干扰能力、增进目标物的探测和分类等 依据不同的汽车类型及配备，常常要一～三个雷达系统；然而，随着法规逐渐制定完整，不久后汽车将会

  2015年3月24日，德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时，英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集成式功率模组DrMOS 5x5。加上驱动器和数字控制器产品，英飞凌为服务器、电脑、数据通信和电信设备等提供了完备的系统解决方案。 在云计算、物联网和社会化媒体等大趋势的推动下，现代社会对数据处理能力的需求与日俱增。伴随而来的，是能耗大幅度的增加，这继而要求提高功率转换系统的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V产品重新定义了业内解决方案的性能

  中国上海–2023年4月18日–全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子，近日上新来自英飞凌的工业级微控制器（MCU）产品组合XMC7000。 该系列新产品通过提供更高的计算性能、更丰富的外设、更宽泛的工作时候的温度范围等性能优势，可满足先进工业应用对高性能、高扩展性以及严苛工作环境的需求。 传承英飞凌XMC系列MCU在工业控制领域的出色表现，内核拥有高达350-MHz 主频的32位Arm® Cortex®-M7处理器，主频100-MHz 的32位Arm® Cortex®-M0+ 处理器，搭配容量最大高达8MB的嵌入式闪存和容量为1MB的片上静态随机存取存储器（SRAM）。该系列微控制器具有低至 8µA 的低功耗模式，并支持-40°C至

  【 2023 年 12 月 19 日，德国慕尼黑讯】 为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS™ S7T产品系列。 通过在系统中集成该系列半导体产品，可提升许多电子应用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS™ S7T具有非常出色的导通电阻和高精度嵌入式传感器，最适合用于提高固态继电器（SSR）应用的性能和可靠性。 CoolMOS_S7T SSR是各种电子设备的基本配置，若能够将传感器和超结 MOSFET集成到同一封装中，客户便能够得到多方面的好处。英飞凌的创新方案提高了继电器的性能，使继电器即使在过载条件下也能可靠运行。与位于漏极的标准独立板载传感器相比， 集成温度传感

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  意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬造厂 • 该项目将成为欧洲首座碳化硅外延衬底（SiC epitaxial substrate）制造厂 • 实现完全垂直整合，加强碳化硅组件及解决方案衬底供应，以助力汽车及工业客户迈向电气化并提升效率 中国，2022年10月8日 — 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；)将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。 新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及

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  直播回放: 英飞凌应用于变频家电和中小功率工业变频控制领域的产品：iMOTION™

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  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

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