晶盛机电宣告6、8英寸碳化硅衬底完成量产并批量交给，技能目标达世界水平，加快第三代半导体资料产业化。

  晶盛机电近来宣告，其6、8英寸碳化硅（SiC）衬底已完成规划化量产并批量交给，中心参数目标到达世界一流水平，标志着我国第三代半导体资料产业化进程加快。现在，公司正推进8英寸衬底的产能爬坡，并成功拓宽海外商场，进一步稳固职业抢先地位。

  晶盛机电经过自主研制的晶体成长设备及热场工艺，处理了大尺度碳化硅衬备的技能难题，6英寸衬底片已经过多家下流厂商验证并批量出售，8英寸产品进入客户验证阶段。公司表明，量产衬底的微管密度、翘曲度等要害参数均优于职业规范，可满意新能源轿车、光伏等范畴对高性能半导体资料的火急需求。

  依托半导体设备与资料的协同优势，晶盛机电同步推进碳化硅外延设备、12英寸硅减压外延成长设备等高端配备的研制，相关这类的产品已进入头部封装企业供应链。在客户布局上，公司除服务国内新能源有突出贡献的公司外，还与多家海外客户达到合作意向，加快全球化布局。

  碳化硅作为第三代半导体中心资料，2025年全球商场规划估计打破百亿美元。晶盛机电方案年内将8英寸衬底产能提升至每月5000片，并继续优化本钱结构，推进国产碳化硅衬底在高压、高频使用场景的规划化落地。剖析指出，跟着国内厂商技能打破，碳化硅衬底进口依赖度有望从80%降至50%以下。

  据晶盛机电官网介绍，晶盛机电是全球光伏配备技能和规划双抢先的企业，国内集成电路级8-12英寸大硅片成长及加工设备抢先企业，公司大尺度蓝宝石晶体成长工艺和技能已到达世界抢先水平，是把握中心技能和规划优势的龙头企业。

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