3月7日，日本NGK（碍子）公司宣告将出资50亿日元（约合人民币2.44亿元）扩展绝缘散热电路板（以氮化硅基板进行金属化和蚀刻）出产能力的决议，在2026年提高到现在水平的2.5倍左右。

  因为（SiC）功率半导体渐渐的变多地被选用，就要求该系统在大功率的高温环境下也能安稳运转，氮化硅绝缘散热电路板以高导热和高机械强度而在现在用于操控电动轿车（EV）和混合动力轿车（HEV）电机的逆变器，完成高可靠性和优异的散热特性。

  如上图所示，NGK具有的自主接合（活性金属钎焊AMB）技能，能够让氮化硅陶瓷基板和铜板之间的键合层具有仅为几微米或更小的超薄结构。这大起伏的降低了粘合层热阻和内部变形的影响，完成了高可靠性和优异的散热特性。别的，关于惯例氧化铝陶瓷基板，NGK采纳直接铜接合（DCB）技能接合。

  NGK在散热电路板出产中首要担任前序接合（将陶瓷基板与铜板热压或胶粘），以及后序蚀刻、电镀等加工。本次出资包含对本土山口工厂和马来西亚槟城工厂增设出产设备，从现在的约100000台增加到约250000台。NGK还表明正在考虑建造欧洲出产基地，加强对欧洲商场的供给系统，为未来需求的进一步增加做好预备。

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