日前，山西烁科晶体有限公司成功研发出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研发成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。

  烁科晶于山西转型综改示范区潇河新鼓起的工业园区，是国内从事第三代半导体资料碳化硅出产和研发的领军企业。近年来，该企业经过自主创新和自主研发，全面把握了碳化硅成长配备制作、高纯碳化硅粉料制备工艺，在国内首先完结高纯半绝缘碳化硅单晶衬底要害工艺技术攻关，先后霸占了大尺度扩径工艺和低缺点N型衬底的成长工艺，具有碳化硅粉料制备、单晶成长、晶片加工等整套出产线英寸碳化硅单晶衬底的成功研发，可以逐渐扩展单片晶圆上可用于芯片制作的面积，大幅度的进步合格芯片产值。在平等出产条件下，显着提高产值，下降单位成本，逐渐提高经济效益，为碳化硅资料的更大规划使用供给或许。