制造装备具有非常非常重要的战略地位，集成电路制造关键技术及装备主要有包括光刻技术及光刻装备、薄膜生长技术及装备、化学、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求。

  集成电路制造关键装备要求零部件材料具备高纯度、高致密度、高强度、高弹性模量、高导热系数和低热线胀系数等特点，且且结构件要具有极高的尺寸精度和结构复杂性，以保证设备实现超精密运动和控制。

  以光刻机中工件台为例，工件台的基本功能是承载硅片和掩膜并完成曝光过程，其性能直接影响产率和分辨率。要求工作台可以在一定程度上完成高速平稳的大行程和六自由度的纳米级超精密运动，如对于100 nm 分辨率、套刻精度为33 nm 和线 nm 的光刻机，其工件台定位精度要求达到10 nm，掩模-硅片同时步进和扫描速度分别达到150 nm/s 和120 nm/s，掩模扫描速度接近500 nm/s，并且要求工件台有很高的运动精度和平稳性。

  (1) 高度轻量化：为降低运动惯量，减轻电机负载，提高运动效率、定位精度和稳定能力，结构件普遍采用轻量化结构设计，其轻量化率为60% ~ 80%，最高可达到90%；

  (2) 高形位精度：为实现高精度运动和定位，要求结构件具有极高的形位精度，平面度、平行度、垂直度要求小于1 μm，形位精度要求小于5 μm；

  (3) 高尺寸稳定性：为实现高精度运动和定位，要求结构件具有极高的尺寸稳定性，不易产生应变，且导热系数高、热线胀系数低，不易产生大的尺寸变形；

  (4) 清洁无污染：要求结构件具有极低的摩擦系数，运动过程中动能损失小，且无磨削颗粒的污染。

  碳化硅是一种性能优异的结构陶瓷材料，具有高强度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、高导热系数、低热线胀系数和优良的化学稳定性，被大范围的应用于石油化学工业、机械制造、核工业、微电子工业等领域。碳化硅具有极高的弹性模量、导热系数和适中的热膨胀系数，具有极佳的可抛光性，可加工成优质的镜面，且不易发生变形和热应变。通过特殊的减重结构设计，能轻松实现结构件的高度轻量化，在集成电路制造装备领域应用广泛。

  碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能 、优异的高温稳定性以及良好的比刚度和光学加工性能，很适合用于制备光刻机等集成电路装备用精密陶瓷结构件，如光刻机用SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂、水冷盘、吸盘等。

  集成电路核心装备用精密陶瓷结构件多具有“大、厚、空、薄、轻、精”的特点，但是，由于碳化硅是Si-C 键很强的共价键化合物，具有极高的硬度和显著的脆性，精密加工难度大；此外，碳化硅熔点高，难以实现致密、近净尺寸烧结。在制备碳化硅结构件时，存在诸多技术难点与挑战：

  （1）怎么来实现中空闭孔结构，以达到高度轻量化的目标，对于具有中空闭孔结构的金属结构件，一般会用钎焊和扩散焊工艺；但对于具有复杂和不成熟，易形成明显的连接界面，造成连接层与基体的组成和性能差异较大等问题。

  （2）怎么来实现碳化硅结构件的高形位精度，以实现高精度运动和定位的目标。碳化硅的硬度仅次于金刚石，导致碳化硅结构件的加工效率低、加工成本高，因此碳化硅结构件高形位精度的实现也是一个技术难点，尤其是在制备具有大尺寸、超薄、复杂结构特征的样品和具有中空闭孔结构的样品时，该问题尤为突出。

  （3）如何减少或避免碳化硅制品在成型、干燥、烧结及后续精密工艺流程中的残余应力，提高制品质量和成品率。碳化硅坯体在干燥和烧结过程中，因为水分的排除和有机物的烧失，易产生不均匀的收缩，造成坯体出现出现开裂和变形等缺陷，并在坯体内部引入残余应力，且在烧结后的精密工艺流程中，有可能引发制品内部的裂纹扩展，导致裂纹等缺陷，降品的成品率。

  大尺寸、复杂异形中空结构的精密碳化硅结构件的制备难度较高，目前集成电路制造装备用碳化硅陶瓷市场主要由国外企业占据，日本Kyocera、美国CoorsTek等，国内有中国建材总院、宁波伏尔肯等。我国在集成电路装备用精密碳化硅结构件的制备技术和应用推广研究起步较晚，与国际领先企业仍有差距。

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  磨料具有较高的硬度、化学稳定性和一定的韧性，是一种用途十分普遍的磨料，可用来制造砂轮、油石、涂附磨具等。大多数都用在磨削玻璃、

  是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，

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  材料制成的电路板。它与传统的FR-4（玻璃纤维增强环氧树脂）电路板相比，具有更高的耐热性、更高的绝缘性、更好的耐腐的能力和机械强度等特性。

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  到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，

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  二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，大范围的使用在高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。

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  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

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  (SiC) 是一种大范围的应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力，

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  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有非常明显优势。

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