在过去的几十年中，全球SiC 和 GaN领域的特点是发展、行业接受度逐步的提升以及有望实现数十亿美元的收入。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国的形式出现。随之而来的是加快速度进行发展，到 2026 年，这个行业部门现在有望达到超过 40 亿美元的市场。

  与此同时，GaN 于 2010 年首次让行业权威人士惊叹，当时美国 EPC 推出了其超快速开关晶体管。市场采用率尚未达到 SiC 的水平，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能达到 10 亿美元。

  每种技术未来市场成功的秘诀在于电动和混合动力电动汽车 （EV/HEV）。事实上，对于 SiC，EV/HEV 市场目前确实是最佳市场——预计至少 60% 的总市场（收入超过 $2.5B 收入）将来自该领域。

  特斯拉于 2017 年启动了 SiC 功率器件市场，当时它成为第一家在其 Model 3 的内部主逆变器设计中添加来自意法半导体的 SiCMOSFET的汽车制造商。足迹，包括现代、比亚迪、蔚来、通用汽车等。

  例如，中国的吉利汽车最近宣布正在与日本合作为其电动汽车提供基于 SiC 的牵引逆变器，而中国对特斯拉的回应——蔚来汽车将在其车辆中实施基于 SiC 的电驱动系统。与此同时，OEM汽车制造商与半导体制造商比亚迪一直在为其全线电动汽车开发碳化硅模块。

  此外，就在去年，中国电动客车制造商宇通透露将在其客车的动力系统中使用中国 StarPower 制造的 SiC功率模块。这些模块使用来自美国 Wolfspeed 的 SiC 器件。

  在韩国，现代汽车已将英飞凌基于 SiC 的功率模块用于其电动汽车的 800 V 电池平台，而在日本，丰田则在其 Mirai 燃料电池电动汽车中使用 Denso 的 SiC 升压功率模块。在美国，通用汽车公司刚刚与 Wolfspeed 签约，为其电动汽车电力电子设备供应碳化硅。

  欧洲讲述了一个不同的故事，汽车制造商接受 SiC 的速度较慢，但变化正在进行中。今年 6 月，雷诺和意法半导体联手为电动汽车和混合动力汽车开发 SiC 和 GaN 器件，预计戴姆勒、奥迪和大众汽车将很快发布更多公告。

  重要的是，对于 Wolfspeed、英飞凌、意法半导体、ROHM 和 Onsemi 等公司而言，汽车 OEM 也更愿意从多个来源购买晶圆和设备以确保可靠供应。考虑到中国和慢慢的变多的其他几个国家正在向 SiC 供应链注入巨额资金，销量只会继续上升。

  在此过程中，棘手的成本问题也正在得到解决。毫无疑问，在组件级别，硅IGBT比等效的 SiC 便宜得多，并且不会很快从电源应用中消失。但一级制造商和原始设备制造商表示，将高功率密度 SiC 实施到逆变器设计中，可以在系统级减少相关成本，这要归功于可能因需要更少的组件而节约空间和重量。

  但这对 GaN 有何影响？这种宽带隙半导体尚未见证 SiC 在 EV/HEV 领域的成功，但由于其高频操作和效率，原始设备制造商要么以浓厚的兴趣关注该技术，要么正在进行开发计划。

  GaN 功率器件已然浮现在小体积的高端光伏逆变器中，并且慢慢的变多地用于包括智能手机在内的一系列移动电子设备的快速充电器。事实上，爱尔兰的 Navitas、美国的 Power Integrations 以及中国的 Innoscience 都在为新兴的快速充电器市场制造 GaN 功率IC。

  鉴于这一活动，预计 2021 年 GaN 功率器件收入将达到约 1 亿美元。但随着 GaN 器件供应商寻求进入别的市场以提高产量，预计到 2026 年这一数字将激增至 10 亿美元。以及 EV/HEV市场是最先观察的。

  GaN 在电动汽车中的应用还处于早期阶段。许多功率 GaN厂商已经开发并自动认证了 650 V GaN 设备，用于车载充电器和 EV/HEV 中的DC/DC转换，并且已经与汽车企业建立了无数的合作伙伴关系。

  例如，加拿大的 GaN Systems 为美国电动汽车初创公司Canoo 提供车载充电器设备，还与加拿大电动汽车电机驱动供应商 FTEX 合作，将 650V GaN 功率设备集成到电子系统滑板车。同时，美国Transphorm与汽车供应商Marelli合作，提供车载充电和DC/DC转换设备。

  STMicroelectronics 预计将向雷诺提供其尚未通过汽车认证的 EV 应用设备，而现在提供汽车认证的低压 GaN 的 EPC 正在与总部在法国的 Brightloop 合作开发价格合理的电源转换器，用于关闭公路和商用车。去年，德州仪器（TI） 还对其用于汽车应用的 650V GaN 器件进行了认证。

  但是，随着车载充电器和 DC/DC 细分市场的发展势头强劲，对于 GaN 而言，这个 10 亿美元的问题其实就是该技术是否将其应用于 EV/HEV 动力系统的主逆变器，并获得惊人的高产量和高收入那个 SiC 开始看到了？早期的行业发展表明这是可能的。

  然后，在今年 9 月，GaN Systems 与宝马签署了 1 亿美元的协议，为这家德国汽车制造商的电动汽车提供制造 GaN 功率器件的能力，这有力地证明了 OEM 对 GaN 的重视。真正意义重大的一步是，纳微将与特殊目的收购公司 Live OakAcquisition 合并，成为市值 10.4 亿美元的上市公司。这家 GaN 电源 IC 厂商最近宣布将向总部在瑞士的 Brusa HyPower 供应用于车载充电器和 DC/DC转换器的设备，作为一家上市公司，该公司打算将其重心放在电动汽车/混合动力汽车和别的市场的产品研究开发上。

  除了交易、合作伙伴关系和合并之外，GaN 模块的早期工作还表明，这种化合物半导体正在追随 SiC 的脚步，行业参与者正准备进行更广泛的行业整合。例如，GaN Systems 正在为设计工程师提供电源评估模块套件，而 Transphorm 一直在与富士通通用电子合作开发面向工业和汽车应用的 GaN 模块。

  那么，SiC 和 GaN 的下一步是什么？作为功率 SiC 器件制造商为电动汽车/混合动力汽车带来的数十亿美元市场准备好，GaN 会经历同样的成功故事吗？OEM 在传动系统逆变器中广泛采用 GaN 将从根本上影响市场预测，但现在，我们只可以拭目以待。

  声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

  镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而

  来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化

  （SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然

  器件的集成度慢慢的升高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期

  已经走过了较长的发展历史，现在已成为微波和射频行业的前沿。它的成本结构已经与传统

  PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有

  个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

  ，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种

  的器件上。此类产品当然有一席之地，但在撰写本文时，SiC的产品品种类型并不存在，

  供应商更关注SiC而不是GaN。这也是由于SiC的工艺在很多方面与Si工艺非常相似，并且机器可以用于

  开关技术出现得慢慢的变快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着

  5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代

  (GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8

  具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，可拿来制造

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气

  共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于

  的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷大范围的使用在各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。

  的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率

  （SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，

  器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯

  本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑 整合意法

  %的峰值效率以及19dB的线性增益，若匹配以合适的谐波阻抗其峰值效率会超过80%。该功率效率性能可与最优秀的

  器件的效率相匹敌，与传统LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正确地

  ，3000多种产品，应用领域覆盖无线、光纤、雷达、有线通信及军事通信等领域，2016年营收达到了5.443亿美元。

  封装B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同条件下

  发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：摘要：在单个芯片上集成多个

  技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于

  材料，近年来被愈来愈普遍地用于高频高温的工作场合。为了更好的提高永磁同步电机伺服控制管理系统的性能

  （SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然

  器件的集成度慢慢的升高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向

  （GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力

  凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱

  下一代材料，可以明显降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，以此来降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比

  复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关

  MOSFETSiC解决方案物料清单相对的减少，可提供更具成本竞争力，而效率高达99%的解决方案。图4：即便是107mΩ的CoolSiC CCM

  肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。基本

  针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能

  宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥

  解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝

  做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎各位有问题及时交流，谢谢各位！

  ，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种

  器件最重要的包含功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、

  SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。

  肖特基二极管，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足PD快充对器件

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动

  （SiC），罗姆花费约20年推进了研发。据称，罗姆在福冈县筑后市工厂的

  化合物都可承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子科技类产品。这一些因素可能导致

  ”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙

  中的电源系统要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。 随着新行业和产品采用电子和

  拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。

  功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，

  MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这

  材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带

  材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性：

  材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以