天眼查显现，湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器材的制备办法及其碳化硅功率器材”专利发布，请求发布日为2024年10月18日，请求发布号为CN118800798A。

  本请求供给的碳化硅功率器材的制备办法及其碳化硅功率器材中，包含，在半导体元胞的沟道区上构成层叠设置的张应力资料层和压应力资料层，其间，张应力资料层坐落压应力资料层和半导体外延片之间；且张应力资料层的应力值大于压应力资料层的应力值；对构成有张应力资料层和压应力资料层的半导体外延片进行高温快速退火处理。详细的，经过在半导体元胞的沟道区上构成层叠设置的张应力资料层和压应力资料层，且张应力资料层的应力值大于压应力资料层的应力值，然后在高温快速退火处理后，张应力资料层与压应力资料层之间发生的净剩张应力会传递至沟道内，然后改进沟道迁移率，下降比导通电阻。

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