在“碳达峰碳中和”大布景下，电气化开展和电能的高效运用成为全世界动力革新的重要开展趋势。作为宽禁带半导体资料的代表，碳化硅衬底资料凭仗其共同的物理特性，在多个下流范畴中经过下降电能转化损耗、进步能量转化功率，到达减排增效的作用。

  据测算，一颗碳化硅芯片在整个生命周期内能节约一吨二氧化碳当量。现在，碳化硅衬底资料和器材凭仗其减排增效的特性，已经在新动力轿车范畴展示了微弱的市场需求。在相同标准的条件下，碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET比较，其尺度能够大幅减小至本来的1/10，导通电阻也至少下降至本来的1/100。这导致碳化硅基MOSFET相较于硅基IGBT总能量损耗下降70%以上，比较运用硅半导体能大大的进步10%续航路程，然后节约很多电能，削减二氧化碳排放。

  此外，碳化硅器材优异的物理性能还在轨道交通、新动力发电、储能、智能电网等完成“碳达峰碳中和”的重要手法中发挥作用，从发电、传输、存储、负载全方位进步动力运用功率，助力绿色低碳开展。例如，碳化硅芯片用在太阳能发电的逆变器上，比用硅基芯片功率密度进步3倍、体积减小40%-60%，损耗下降50%以上。跟着碳化硅技能使用遍及，其节能减排潜力将进一步开释，成为完成“双碳”方针的关键技能之一。

  2023年12月，山东天岳先进科技股份有限公司成功当选我国工业碳达峰“领跑者”企业称谓。天岳先进作为我国碳化硅半导体资料职业的领军企业，自主霸占了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列世界难题，把握碳化硅衬底资料产业化中心关键技能。在上海SEMICON China 2025大会上，天岳先进发布了12英寸全系列碳化硅衬底，包含12英寸高纯半绝缘型、导电n型和导电p型碳化硅衬底。

  碳化硅作为新一代低碳、绿色、节能的半导体资料，大尺度新时代的到来，将逐渐进步碳化硅对可持续开展的奉献，为绿色低碳开展注入新动力。